硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计

doi:10.3879/j.issn.1000-0887.2014.03.008

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计; Process-Induced Thermal Stress of Through Silicon Via and Its Releasing Structure Design
	孙汉 ; 王玮 ; 陈兢 ; 金玉丰
刊名	应用数学和力学
	2014
关键词	硅通孔热应力释放槽状结构数值仿真设计建议 through silicon via thermal-stress-releasing groove structure numerical simulation design suggestion
DOI	10.3879/j.issn.1000-0887.2014.03.008
英文摘要	在3D SiP(三维系统级封装)的TSV(硅通孔)的工艺制造过程中,热应力会引发TSV周围的载流子迁移率的改变,进而改变3D系统级封装芯片的性能.针对这一问题,提出了一种TSV热应力释放槽结构,以期解决微机电系统(MEMS)应用的大尺寸TSV的热应力问题.在释放槽内外,硅衬底表面的应力得到有效隔离,表面应力大大降低·在结合可行工艺参数的基础上,通过数值模拟对比了3D与2D模型的区别、不同TSV材料的区别,计算应力释放槽的深度、位置、宽度等因素对硅衬底表面应力释放的效果,给出了TSV应力释放槽的布局建议.研究结果表明含有释放槽的TSV,释放槽外热应力可以减小至无释放槽情况下的40％～ 60％,保留区域的面积也相应降低.; 国家科技重大专项; The National Science and Technology Major Project of China; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 295-304; 35
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/266049]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	孙汉,王玮,陈兢,等. 硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计, Process-Induced Thermal Stress of Through Silicon Via and Its Releasing Structure Design[J]. 应用数学和力学,2014.
APA	孙汉,王玮,陈兢,&金玉丰.(2014).硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计.应用数学和力学.
MLA	孙汉,et al."硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计".应用数学和力学 (2014).