纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象 | |
何宇亮 ; 奚中和 ; 余明斌 ; 李月霞 ; 彭英才 ; 刘明 | |
刊名 | 半导体杂志
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1998 | |
关键词 | 纳米硅 量子功能 共振隧道 |
英文摘要 | 利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点(Q.D)特征制成隧道二极管结构,在液氮温区(<100K)在其σV、IV及CV特性曲线上呈现出共振隧穿峰、库仑台阶和量子振荡现象。说明,对无序分布着的量子点阵列,只要其粒子尺寸足够小,同样会发生量子功能作用。估计了在室温范围呈现出这种量子功能作用的可能性。; 0; 01; 1-9 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/260126] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 何宇亮,奚中和,余明斌,等. 纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象[J]. 半导体杂志,1998. |
APA | 何宇亮,奚中和,余明斌,李月霞,彭英才,&刘明.(1998).纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象.半导体杂志. |
MLA | 何宇亮,et al."纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象".半导体杂志 (1998). |
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