纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象

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	纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象
	何宇亮 ; 奚中和 ; 余明斌 ; 李月霞 ; 彭英才 ; 刘明
刊名	半导体杂志
	1998
关键词	纳米硅量子功能共振隧道
英文摘要	利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（＜１００Ｋ）在其σＶ、ＩＶ及ＣＶ特性曲线上呈现出共振隧穿峰、库仑台阶和量子振荡现象。说明，对无序分布着的量子点阵列，只要其粒子尺寸足够小，同样会发生量子功能作用。估计了在室温范围呈现出这种量子功能作用的可能性。; 0; 01; 1-9
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/260126]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	何宇亮,奚中和,余明斌,等. 纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象[J]. 半导体杂志,1998.
APA	何宇亮,奚中和,余明斌,李月霞,彭英才,&刘明.(1998).纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象.半导体杂志.
MLA	何宇亮,et al."纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象".半导体杂志 (1998).