HALO结构pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下应力相关的热载流子退化

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.015

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	HALO结构pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下应力相关的热载流子退化; Stress-Dependent Hot Carrier Degradation for pMOSFETs Structure Under Stress Mode Vg=Vd/2
	胡靖 ; 赵要 ; 许铭真 ; 谭长华
刊名	半导体学报
	2004
关键词	热载流子一次碰撞电离二次碰撞电离复合
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.015
英文摘要	研究了超薄栅(2.5nm)短沟HALO-pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性.随着应力电压的变化,器件的退化特性也发生了改变.在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命.在高场应力下器件退化是由空穴注入或者电子与空穴复合引起的,随着应力电压的下降器件退化主要是由电子注入引起的.最后,给出了两种退化机制的临界电压并在实验中得到验证.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 4; 436-440; 25
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/236490]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	胡靖,赵要,许铭真,等. HALO结构pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下应力相关的热载流子退化, Stress-Dependent Hot Carrier Degradation for pMOSFETs Structure Under Stress Mode Vg=Vd/2[J]. 半导体学报,2004.
APA	胡靖,赵要,许铭真,&谭长华.(2004).HALO结构pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下应力相关的热载流子退化.半导体学报.
MLA	胡靖,et al."HALO结构pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下应力相关的热载流子退化".半导体学报 (2004).