基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺

doi:10.3969/j.issn.1672-6030.2011.01.015

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺; Fabrication of GaN-Based MEMS Structures Using Dry-Etch Technique
	杨振川 ; 吕佳楠 ; 闫桂珍 ; 陈敬
刊名	纳米技术与精密工程
	2011
关键词	干法刻蚀氮化镓(GaN) MEMS dry etching gallium nitride (GaN) MEMS
DOI	10.3969/j.issn.1672-6030.2011.01.015
英文摘要	氮化镓(GaN)材料已成功应用于光电子器件、高频功率器件等领域.近年来,由于GaN优异的材料特性,例如机械、热、化学稳定性以及生物兼容性等,使基于GaN的微机电系统(MEMS)得到了学术界的广泛关注.针对氮化镓MEMS结构的有效的图形化及释放技术是工艺研究的重点.设计、采用了一种全干法刻蚀技术,实现了(111)晶向硅衬底上的氮化镓基MEMS微结构的加工制造.利用提出的工艺方案,实现了多种悬浮GaN微结构的加工与测试表征实验.通过电子扫描显微镜(SEM)和光学轮廓仪进行了基本形貌表征;利用微拉曼光谱实验进行了加工结构的残余应力表征.; 国家自然科学基金; 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 1; 78-82; 09
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/219150]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	杨振川,吕佳楠,闫桂珍,等. 基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺, Fabrication of GaN-Based MEMS Structures Using Dry-Etch Technique[J]. 纳米技术与精密工程,2011.
APA	杨振川,吕佳楠,闫桂珍,&陈敬.(2011).基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺.纳米技术与精密工程.
MLA	杨振川,et al."基于干法刻蚀技术的氮化镓MEMS加工工艺".纳米技术与精密工程 (2011).