硼硅酸盐玻璃晶片激光标识的制作技术

doi:10.3969/j.issn.1001-5078.2015.01.004

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	硼硅酸盐玻璃晶片激光标识的制作技术; Laser mark technology for borosilicate glass wafer
	李悦
刊名	激光与红外
	2015
关键词	CO2 激光器激光打标清晰度凸起高度平均功率脉冲频率扫描速度玻璃晶片 CO2 laser laser mark definition mark height average power pulse frequency scan speed glass wafer
DOI	10.3969/j.issn.1001-5078.2015.01.004
英文摘要	晶片标识码的手写方式存在不美观、字体边缘玻璃蹦渣及划痕深等缺点。某些 MEMS工艺玻璃－Si 键合片需 KOH 腐蚀。采用手写，KOH 通过玻璃片标码部位侵入晶片正面而腐蚀器件结构。因此，采用波长10640 nm CO2激光器针对玻璃晶片进行激光标识制作的打标工艺。研究中分别改变激光平均输出功率、脉冲频率及扫描速度，借助目视、金相显微镜及动态三维光学轮廓仪来观察标识码的清晰度、是否产生裂纹及字体凸起程度，了解它们与上述参数间相互对应关系。重点解决清晰度与凸起高度的矛盾，从而得到清晰、无裂纹且凸起高度满足后续半导体纳米级加工工艺要求的激光标码技术。结果表明：脉冲频率对清晰度、裂纹产生及凸起高度无显著影响；平均功率与清晰度及凸起程度呈正比例关系，与裂纹产生无相关性；扫描速度与清晰度、裂纹产生的可能性及凸起高度呈反比关系。采用40％平均功率，20 kHz 频率，150 mm ／s 扫描速度及单线字体（JCZ Single Line）进行标刻时，标识码在目视及镜检下清晰可视，无微细裂纹，轮廓仪测量结果显示字迹凸起高度为185 nm。应用上述条件标码的玻璃片与 Si 键合并在 KOH 中腐蚀5 h 后无 KOH 进入晶片正面的现象发生。; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 1; 17-21
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/216345]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	李悦. 硼硅酸盐玻璃晶片激光标识的制作技术, Laser mark technology for borosilicate glass wafer[J]. 激光与红外,2015.
APA	李悦.(2015).硼硅酸盐玻璃晶片激光标识的制作技术.激光与红外.
MLA	李悦."硼硅酸盐玻璃晶片激光标识的制作技术".激光与红外 (2015).