基于环形肖特基二极管的MEMS陀螺仪接口ASIC电路温度特性分析与设计

doi:10.3969/j.issn.1004-1699.2014.03.004

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	基于环形肖特基二极管的MEMS陀螺仪接口ASIC电路温度特性分析与设计; Analysis of Temperature Characteristic and Design of Interface ASIC Based on Ring Schottky Diode for MEMS Gyroscope
	沈广冲 ; 鲁文高 ; 刘明星 ; 李小亮 ; 张雅聪 ; 陈中建
刊名	传感技术学报
	2014
关键词	ASIC MEMS陀螺仪环形肖特基二极管温度特性 ASIC MEMS gyroscope ring Schottky diode temperature characteristic
DOI	10.3969/j.issn.1004-1699.2014.03.004
英文摘要	完成了采用环形二极管结构的MEMS陀螺仪接口ASIC电路设计并且理论分析了环形肖特基二极管的温度特性对电路输出的影响。 MEMS陀螺仪系统采用高频载波调制方案，在陀螺仪可动质量块施加1MHz载波，将陀螺仪振动信号调制到载波附近。环形肖特基二极管作为调制解调器，解调陀螺仪输出已调信号得到陀螺仪振动信号。这种方案可以有效放大陀螺仪输出信号。理论和仿真结果表明，肖特基二极管阈值电压随温度的变化会改变电路增益，引入一个正温度系数。采用负温度系数反馈电阻，从而降低电路总的温度系数。 ASIC电路基于0.18μm CMOS工艺实现。; 国家自然科学基金项目; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 299-303
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/211904]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	沈广冲,鲁文高,刘明星,等. 基于环形肖特基二极管的MEMS陀螺仪接口ASIC电路温度特性分析与设计, Analysis of Temperature Characteristic and Design of Interface ASIC Based on Ring Schottky Diode for MEMS Gyroscope[J]. 传感技术学报,2014.
APA	沈广冲,鲁文高,刘明星,李小亮,张雅聪,&陈中建.(2014).基于环形肖特基二极管的MEMS陀螺仪接口ASIC电路温度特性分析与设计.传感技术学报.
MLA	沈广冲,et al."基于环形肖特基二极管的MEMS陀螺仪接口ASIC电路温度特性分析与设计".传感技术学报 (2014).