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	利用光致发光谱和二次离子质谱研究SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为
	李映雪 ; 张兴 ; 黄如 ; 王阳元 ; 罗晏
	2000
关键词	不致发光谱 残余氧 顶层硅膜 二次离子质谱 硅绝缘材料
英文摘要	利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火处理的SIMOX材料的顶层硅膜.实验结果显示,SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰:它们是能量为0eV(与导带底的距离)的a峰、能量为0.33eV的b峰和能量为0.35eV的c峰.与RBS谱相比,我们发现a峰峰高及b/a峰值比是锋衡量顶层硅膜单晶完整性的标度.谱峰b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧,起施主作用.SIMS测试结果显示,谱峰c来源于SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮.; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/186061]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	李映雪,张兴,黄如,等. 利用光致发光谱和二次离子质谱研究SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为. 2000-01-01.

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