| ALsi金属化工艺和Ti/ALsi金属化工艺对大面积PIN光电二极管芯片暗电流的影响 | |
| 王玮 ; 张太平 ; 宁宝俊 ; 王兆江 ; 张录 | |
| 2001 | |
| 关键词 | PIN光电二极管 暗电流要求 溅射 金属化工艺 |
| 英文摘要 | 在制造PIN光电二极管的过程中,我们选用溅射Ti/ALsi,经湿法腐蚀后,测试芯片暗电流,发现在偏压比较高时暗电流增大,不符合要求.于是对比进行溅射ALsi,同样用湿法腐蚀后,测试芯片暗电流.试验对比表明,在同样偏压下,选用ALsi金属化工艺比选用Ti/ALsi金属化工艺可以获得更低的暗电流.尤其在比较高的偏压下,ALsi金属化工艺比Ti/ALsi金属化工艺的暗电流小将近一个数量级.; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/186031]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玮,张太平,宁宝俊,等. ALsi金属化工艺和Ti/ALsi金属化工艺对大面积PIN光电二极管芯片暗电流的影响. 2001-01-01. |
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