多晶硅集成高温压力传感器研究

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	多晶硅集成高温压力传感器研究; Research on Poly-Silicon Integrated Pressure Sensor for High Temperature
	张威 ; 王阳元
刊名	电子学报
	2003
关键词	集成多晶硅压力传感器 CMOS
DOI	10.3321/j.issn:0372-2112.2003.11.033
英文摘要	高温压力传感器因其特殊的应用环境而日益受到人们的重视.一些特殊的材料如SiC 、SOI等可以用来制作高温压力传感器,但是由于成本较高或加工难度大等原因,尚未得到广泛应用.本文提出了一种新型的高温压力传感器,采用多晶硅作为压敏电阻,同时采用新的工艺措施与全耗尽CMOS放大电路集成在一起,将输出电压转换为0～+5V的输出信号.通过模拟与投片实验,得到了优化的多晶硅注入浓度,从而使其压阻温度系数在-40℃～180℃范围内接近于零.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 11; 1736-1738; 31
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185625]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张威,王阳元. 多晶硅集成高温压力传感器研究, Research on Poly-Silicon Integrated Pressure Sensor for High Temperature[J]. 电子学报,2003.
APA	张威,&王阳元.(2003).多晶硅集成高温压力传感器研究.电子学报.
MLA	张威,et al."多晶硅集成高温压力传感器研究".电子学报 (2003).