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新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路; A Novel ESD Clamp Protection Circuit with Low Leakage Current and High Latch-up Immunity
王源 ; 贾嵩 ; 张钢刚 ; 陈中建 ; 吉利久
刊名北京大学学报 自然科学版
2007
关键词静电泄放 泄漏电流 闩锁效应 gcSCR-CDS
DOI10.3321/j.issn:0479-8023.2007.03.020
英文摘要提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路--栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构.相比传统级联二极管串(CDS)结构,新结构利用插入的SCR管减小了钳位电路的泄漏电流和导通电阻,提高了电路的抗ESD能力;利用栅控的PMOS管,提高了维持电压,抑制了闩锁效应.0.35μm标准CMOS工艺流片结果表明,该结构泄漏电流为 12nA,抗ESD能力超过 8kV.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 400-404; 43
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185081]  
专题信息科学技术学院
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GB/T 7714
王源,贾嵩,张钢刚,等. 新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路, A Novel ESD Clamp Protection Circuit with Low Leakage Current and High Latch-up Immunity[J]. 北京大学学报 自然科学版,2007.
APA 王源,贾嵩,张钢刚,陈中建,&吉利久.(2007).新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路.北京大学学报 自然科学版.
MLA 王源,et al."新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路".北京大学学报 自然科学版 (2007).
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