新一代存储技术:阻变存储器

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	新一代存储技术:阻变存储器; Resistive RAM:A Novel Generation Memory Technology
	王源 ; 贾嵩 ; 甘学温
刊名	北京大学学报自然科学版
	2011
关键词	不挥发性存储器阻变存储器电阻可逆转换三维集成多值存储
英文摘要	阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注.作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术.; 国家重点基础研究发展计划; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 3; 565-572; 47
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/184883]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	王源,贾嵩,甘学温. 新一代存储技术:阻变存储器, Resistive RAM:A Novel Generation Memory Technology[J]. 北京大学学报自然科学版,2011.
APA	王源,贾嵩,&甘学温.(2011).新一代存储技术:阻变存储器.北京大学学报自然科学版.
MLA	王源,et al."新一代存储技术:阻变存储器".北京大学学报自然科学版 (2011).