SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究

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	SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究; Infrared Absorbance of SiNx and SiC
	王欣 ; 于晓梅 ; 田大宇
刊名	传感技术学报
	2006
关键词	红外离子注入 LPCVD PECVD
DOI	10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.124
英文摘要	采用LPCVD和PECVD技术制作了不同厚度的SiNx和SiC材料样品,使用傅立叶变换红外光谱仪对其进行了红外吸收特性测试,并通过离子注入的方式对其红外吸收特性进行调节.实验结果表明:LPCVD SINx材料在8～14μm波段存在吸收峰,而PECVD SiNx和SiC材料在3μm～5μm波段和8～14μm波段存在吸收峰.随着材料厚度的增加,吸收度也增加,1 μm厚的LPCVD SiNx,红外吸收度可以达到0.92.离子注入可改变材料的红外吸收能力.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 5; 1778-1780,1784; 19
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/173239]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	王欣,于晓梅,田大宇. SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究, Infrared Absorbance of SiNx and SiC[J]. 传感技术学报,2006.
APA	王欣,于晓梅,&田大宇.(2006).SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究.传感技术学报.
MLA	王欣,et al."SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究".传感技术学报 (2006).