SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究; Infrared Absorbance of SiNx and SiC | |
王欣 ; 于晓梅 ; 田大宇 | |
刊名 | 传感技术学报
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2006 | |
关键词 | 红外 离子注入 LPCVD PECVD |
DOI | 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.124 |
英文摘要 | 采用LPCVD和PECVD技术制作了不同厚度的SiNx和SiC材料样品,使用傅立叶变换红外光谱仪对其进行了红外吸收特性测试,并通过离子注入的方式对其红外吸收特性进行调节.实验结果表明:LPCVD SINx材料在8~14μm波段存在吸收峰,而PECVD SiNx和SiC材料在3μm~5μm波段和8~14μm波段存在吸收峰.随着材料厚度的增加,吸收度也增加,1 μm厚的LPCVD SiNx,红外吸收度可以达到0.92.离子注入可改变材料的红外吸收能力.; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 5; 1778-1780,1784; 19 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/173239] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王欣,于晓梅,田大宇. SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究, Infrared Absorbance of SiNx and SiC[J]. 传感技术学报,2006. |
APA | 王欣,于晓梅,&田大宇.(2006).SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究.传感技术学报. |
MLA | 王欣,et al."SiNx和SiC材料的红外吸收特性研究".传感技术学报 (2006). |
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