亚100纳米MOS半导体器件技术探讨

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	亚100纳米MOS半导体器件技术探讨
	刘文安 ; 黄如 ; 张兴
刊名	世界产品与技术
	2003
关键词	MOS 短沟效应栅介质栅长按比例缩小金属栅反型层硅栅电流驱动能力栅氧化层
英文摘要	尽管在过去40年中,IC行业的基本元件——MOS管和基本的电路拓扑逻辑——CMOS都没有根本性的革新,但可以相信,在今后15年内,MOS和CMOS仍然是工业界的主流。在可以预见的很长的一段时间内,没有任何新器件能够对MOS管的地位形成真正的挑战。; 0; 09; 30-36
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/172563]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘文安,黄如,张兴. 亚100纳米MOS半导体器件技术探讨[J]. 世界产品与技术,2003.
APA	刘文安,黄如,&张兴.(2003).亚100纳米MOS半导体器件技术探讨.世界产品与技术.
MLA	刘文安,et al."亚100纳米MOS半导体器件技术探讨".世界产品与技术 (2003).