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碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像; Scanning electron microscopy imaging of single-walled carbon nanotubes and devices
彭练矛 ; 王胜 ; 梁学磊 ; 张志勇 ; 姚昆 ; 胡又凡 ; 高旻 ; 陈清
刊名电子显微学报
2007
关键词扫描电子显微镜 碳纳米管 纳米器件
DOI10.3969/j.issn.1000-6281.2007.05.002
英文摘要本文探讨了在扫描电镜中单壁碳纳米管的成像问题.一般情况下碳纳米管的像衬度随入射电子能量,扫描速度,样品基底和环境而变,情况非常复杂.但在一定厚度的SiO2绝缘基底上且与金属电极相连的单壁碳纳米管的成像机理则相对简单.单壁碳纳米管像衬度的贡献主要来源于二次电子而不是背散射电子.像衬度产生的机理主要为SiO2绝缘基底在成像过程中的电荷积累导致的表面电势的变化对于碳纳米管以及周围SiO2基底二次电子发射效率的影响.; 国家重点基础研究发展计划纳米研究项目; 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 5; 395-399; 26
语种中文
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/84816]  
专题信息科学技术学院
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GB/T 7714
彭练矛,王胜,梁学磊,等. 碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像, Scanning electron microscopy imaging of single-walled carbon nanotubes and devices[J]. 电子显微学报,2007.
APA 彭练矛.,王胜.,梁学磊.,张志勇.,姚昆.,...&陈清.(2007).碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像.电子显微学报.
MLA 彭练矛,et al."碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像".电子显微学报 (2007).
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