ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.082

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究; Fabrication of ZnO nanowire-based diodes and their light-emitting properties
	王艳新 ; 张琦锋 ; 孙晖 ; 常艳玲 ; 吴锦雷
刊名	物理学报
	2008
关键词	ZnO纳米线肖特基二极管电致发光 ZnO nanowire Schottky type diode electroluminescence
DOI	10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.082
英文摘要	运用液相法生长成ZnO纳米线薄膜,并利用肖特基型异质结的发光原理,构造成功肖特基型ZnO纳米线二极管发光器件.在大于6V直流电压驱动下,观察到近紫外波段392nm处和可见光波段525nm的发射谱带.从单向导电特性及ZnO纳米线材料的能带结构等方面探讨了该种器件的电致发光机理.; A Schottky type light-emitting diode of ZnO nanowire was fabricated based on the principle of luminescence of Schottky barrier heterojunction. Driven by a voltage of above 6 V, an EL spectrum was obtained. The spectrum consisted of two peaks: one is centered at a wavelength of the ultraviolet 392 nm, and the other at the visible 525 nm. The mechanism of electroluminescence of this device was analyzed according to the rectifying I-V curve and the energy band structure.; http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&KeyUT=WOS:000253432100082&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&UsrCustomerID=8e1609b174ce4e31116a60747a720701 ; SCI(E); EI; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); 13; 02; 1141-1144; 57
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/83706]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	王艳新,张琦锋,孙晖,等. ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究, Fabrication of ZnO nanowire-based diodes and their light-emitting properties[J]. 物理学报,2008.
APA	王艳新,张琦锋,孙晖,常艳玲,&吴锦雷.(2008).ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究.物理学报.
MLA	王艳新,et al."ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究".物理学报 (2008).