入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.007

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响; Influence of Light Intensity on Internal Field-Assisted Photoemission Characteristics of Ag-BaO Thin Film
	张琦锋 ; 吴锦雷
刊名	半导体学报
	2000
关键词	内场助光电发射超微粒子-半导体薄膜
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2000.12.007
英文摘要	通过对不同光强入射下Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的测试,实验发现Ag BaO薄膜内场助光电发射电流随内场助偏压的增长过程经历了快速增长和缓慢增加两个阶段,相应的转折电压大小与入射光强有关.理论分析表明,内场助作用下Ag-BaO薄膜体内能带结构发生了Ag微粒和BaO介质间等效界面势垒减小及薄膜表面真空能级相对下降等两个方面的变化,其在内场助作用过程中相对效果的不同导致了光电流增长过程中的两个阶段;转折电压对入射光强的依赖关系源于光生载流子改变了薄膜体内的有效电场强度.; 国家自然科学基金; 北京市自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 12; 1183-1188; 21
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24367]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张琦锋,吴锦雷. 入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响, Influence of Light Intensity on Internal Field-Assisted Photoemission Characteristics of Ag-BaO Thin Film[J]. 半导体学报,2000.
APA	张琦锋,&吴锦雷.(2000).入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响.半导体学报.
MLA	张琦锋,et al."入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响".半导体学报 (2000).