双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降

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	双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降; Analysis of Threshold Voltage Decreasing for Double-Gate and Surrounding-Gate MOSFET's
	甘学温 ; 王旭社 ; 张兴
刊名	半导体学报
	2001
关键词	双栅MOSFET 环栅MOSFET 电荷分享阈值电压下降
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.021
英文摘要	基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响,并用数值模拟验证了理论结果.这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 12; 1581-1585; 22
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24314]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	甘学温,王旭社,张兴. 双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降, Analysis of Threshold Voltage Decreasing for Double-Gate and Surrounding-Gate MOSFET's[J]. 半导体学报,2001.
APA	甘学温,王旭社,&张兴.(2001).双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降.半导体学报.
MLA	甘学温,et al."双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降".半导体学报 (2001).