| 选择离子注入集电极技术在双层多晶硅发射极晶体管中的应用 | |
| 金海岩 ; 张利春 ; 高玉芝 | |
| 2001 | |
| 关键词 | 选择离子注入集电区技术 双层多晶硅发射极晶体管 基区扩展效应 电学特性测量 |
| 英文摘要 | 为提高超高速双极晶体管的电流增益,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响,我们将选择离子注入集电区技术(SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中.电学特性测量结果表明,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管.因此,在双层多晶硅晶体管中采用SIC技术有效地降低了基区的扩展效应,提高了器件的电学特性.; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24153]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金海岩,张利春,高玉芝. 选择离子注入集电极技术在双层多晶硅发射极晶体管中的应用. 2001-01-01. |
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