| 大面积PIN光电二极管在高低温退火前后暗电流的变化 | |
| 田大宇 ; 王兆江 ; 王玮 ; 张维 ; 张录 | |
| 2001 | |
| 关键词 | PIN光电二极管 离子注入 高温快速退火 暗电流 |
| 英文摘要 | 制造在兰紫光波段内高量子效率的PIN光电二极管,浅结是必要的.为了达到线结,硼离子注入后,使用了1000℃、30s的高温快速热退火.对具体芯片的暗电流跟踪测试表明,硼离子注入后,只使用高温快速热退火工艺,芯片的暗电流达不到要求,而在随后的600℃、1h的慢退后火,芯片的暗电流明显降低.实验表明,在制造兰紫光波段高量子效率PIN光电二极管工艺中,低温退火也是必不可少的.; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24152]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田大宇,王兆江,王玮,等. 大面积PIN光电二极管在高低温退火前后暗电流的变化. 2001-01-01. |
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