QQ客服 官方微博 反馈留言

	纳米级MOSFET的模拟
	刘晓彦 ; 刘恩峰 ; 杜刚 ; 刘弋波 ; 夏志良 ; 韩汝琦
	2002
关键词	纳米尺度 半导体器件 流体动力学 量子效应 场效应晶体管 计算机模拟
英文摘要	利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计.; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/24077]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘晓彦,刘恩峰,杜刚,等. 纳米级MOSFET的模拟. 2002-01-01.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。