埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究

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	埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究
	吴锦雷 ; 郭翎健 ; 吴全德
刊名	半导体学报
	1995
关键词	超微粒子时间响应光电发射外光作用超短光脉冲入射光子表面位光电阴极 Ag Cs_2O
英文摘要	超短光脉冲技术的发展对检测材料提出了时间响应的要求．本文对超微粒子薄膜光电发射材料的时间响应进行了研究，讨论了时间传递扩展（ＴＴＳ）和峰值响应时间（ｔＭ）．超微粒子薄膜光电子的时间响应随入射光子能量的增大而增加，薄膜表面位垒的下降可使光电灵敏度提高，但光电子的时间响应因增加而会变差．本文以Ａｇ－Ｏ－ＣＳ薄膜为例，计算了不同情况下光电子从Ａｇ超微粒子穿过Ｃｓ２Ｏ半导体层跃迁到真空的时间响应，得到该薄膜在１．０６μｍ红外光作用下，光电子的时间响应约５０ｆｓ．; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 11; 842-848
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23694]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	吴锦雷,郭翎健,吴全德. 埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究[J]. 半导体学报,1995.
APA	吴锦雷,郭翎健,&吴全德.(1995).埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究.半导体学报.
MLA	吴锦雷,et al."埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究".半导体学报 (1995).