| 用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理 | |
| 徐立 ; 钱佩信 ; 李志坚 | |
| 刊名 | 半导体学报
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| 1993 | |
| 关键词 | 角分布 产额 固溶度 杂质相 载流子浓度 亚稳态 杂质原子 阳极氧化技术 快速热退火 弛豫 |
| 英文摘要 | 用快速热退火技术可以获得很高的、超过杂质在硅中固溶度的亚稳态载流子浓度。但是,超固溶度杂质的失活会引起亚稳态载流子浓度的弛豫。本文应用RBS沟道产额角分布技术分析了失活杂质原子在硅晶格中的定位情况,进而从这些晶格定位的实验结果出发,讨论了硅中超固溶度激活杂质的失活机理。; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 08; 468-473 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23634]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐立,钱佩信,李志坚. 用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理[J]. 半导体学报,1993. |
| APA | 徐立,钱佩信,&李志坚.(1993).用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理.半导体学报. |
| MLA | 徐立,et al."用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理".半导体学报 (1993). |
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