单晶硅化物及其应用

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	单晶硅化物及其应用
	武国英 ; 李志宏 ; 郝一龙 ; 陈文茹
刊名	微细加工技术
	1992
关键词	单晶硅化物金属—半导体接触内延 CoSi_2埋层穿透基区晶体管(PBT) 金属基区晶体管(MBT) MBE
英文摘要	本文评述了单晶CoSi_2和NiSi_2的结构特点、各种制备方法、器件应用和发展前景。采用分子束外延(MBE)和“内延”法(Mesotaxy)制备的单晶硅化物质量,电学性能和热稳定性较好。由于首次得到理想的突变的金属——半导体接触,使对金属——半导体接触的理论分析成为可能。硅/单晶硅化物/硅结构在实际应用中非常重要,如单晶硅化物作集电极埋层,能降低集电极串联电阻,克服重掺杂埋层的横扩和自掺杂问题,提高了电路工作速度,减小了器件面积。埋层硅化物也可作为微波传输线的地线,是实现高频集成电路互连的好方法。而采用该结构制备的高速器件——金属基区晶体管(MBT)和穿透基区晶体管(PBT),具有很好的应用...; 0; 03; 25-45
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23557]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	武国英,李志宏,郝一龙,等. 单晶硅化物及其应用[J]. 微细加工技术,1992.
APA	武国英,李志宏,郝一龙,&陈文茹.(1992).单晶硅化物及其应用.微细加工技术.
MLA	武国英,et al."单晶硅化物及其应用".微细加工技术 (1992).