α-Si TFT寻址的液晶显示屏研制

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	α-Si TFT寻址的液晶显示屏研制
	苏伟
刊名	固体电子学研究与进展
	1988
关键词	液晶显示屏开关元件驱动电路集成电路工艺工艺处理寻址制造过程液晶材料 Si TFT NMOS
英文摘要	一、引言自从1979年Le Comber等研制出第一个非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)以来,对α- Si TFT的研究有了很大进展。α-Si TFT具有大的开态/关态电流比,其制造工艺与常规集成电路工艺兼容,而且工艺处理温度低,可采用廉价的透明玻璃作为衬底,所以α-Si TFT适合用作液晶显示矩阵电路的开关元件。本文研制的液晶显示屏以G-Si TFT为矩阵电路的开关元件,采用TN-FE型的液晶显示单元,并配以用NMOS IC工艺形成的驱动电路。文中介绍了α-Si TFT的工艺制造过程;分析了其静态和动态特性;对α-Si TFT和液晶材料的性能要求作了详细讨论;系统地描述了液晶显示...; 0; 04; 466-468
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23549]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	苏伟. α-Si TFT寻址的液晶显示屏研制[J]. 固体电子学研究与进展,1988.
APA	苏伟.(1988).α-Si TFT寻址的液晶显示屏研制.固体电子学研究与进展.
MLA	苏伟."α-Si TFT寻址的液晶显示屏研制".固体电子学研究与进展 (1988).