电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响

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	电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响
	许铭真 ; 谭长华 ; 刘晓卫 ; 王阳元
刊名	半导体学报
	1991
关键词	弛豫谱氧化层俘获截面电场效应精确公式电流比零级近似解二级近似谱函数
英文摘要	本文用单陷阱电荷俘获模型研究了电场调制效应对氧化层电流弛豫谱(Oxide CurtentRelaxation Spectroscopy)——简称 OCRS的影响.给出了精确的 OCRS谱函数及其各级近似表述式;给出了确定陷阱参数(俘获截面,荷心及面密度)的精确公式及各类简化式;给出了各类近似成立的直观实验判据式.对实验结果进行了电场修正,得到了更为满意的结果.; 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 05; 273-283
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23531]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	许铭真,谭长华,刘晓卫,等. 电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响[J]. 半导体学报,1991.
APA	许铭真,谭长华,刘晓卫,&王阳元.(1991).电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响.半导体学报.
MLA	许铭真,et al."电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响".半导体学报 (1991).