反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究 | |
高玉芝 ; 张录 ; 张利春 | |
刊名 | 北京大学学报 自然科学版 |
1989 | |
关键词 | 反应蒸发 扩散势垒 氮化钛 |
英文摘要 | 本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟退火,卢瑟福背散射研究结果表明,TiN是一种有效的扩散势垒材料。; 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 03; 261-268 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23483] |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高玉芝,张录,张利春. 反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究[J]. 北京大学学报 自然科学版,1989. |
APA | 高玉芝,张录,&张利春.(1989).反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究.北京大学学报 自然科学版. |
MLA | 高玉芝,et al."反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究".北京大学学报 自然科学版 (1989). |
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