657nm外腔半导体激光器的实现

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	657nm外腔半导体激光器的实现; A Practice of a 657nm External Cavity Diode Laser
	吕德胜 ; 黄凯凯 ; 王凤芝 ; 杨东海
刊名	时间频率学报
	2003
关键词	外腔反馈半导体激光器激光线宽
DOI	10.3969/j.issn.1674-0637.2003.01.001
英文摘要	对一种Littman-Metcalf外腔结构半导体激光器的实现过程作了报道.利用这种结构的光反馈特性,使原来自由运转时波长在660nm附近的半导体激光器在常温下能够调节到657nm附近,并且把激光线宽从原来的30MHz压窄到100kHz左右,连续调节范围大约为10GHz.这种窄线宽的激光器将用在钙原子Ramsey光谱的实验中.; 国家自然科学基金; 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 1; 1-6; 26
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/23023]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	吕德胜,黄凯凯,王凤芝,等. 657nm外腔半导体激光器的实现, A Practice of a 657nm External Cavity Diode Laser[J]. 时间频率学报,2003.
APA	吕德胜,黄凯凯,王凤芝,&杨东海.(2003).657nm外腔半导体激光器的实现.时间频率学报.
MLA	吕德胜,et al."657nm外腔半导体激光器的实现".时间频率学报 (2003).