一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)

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	一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)
	陈江华 ; 倪学文 ; 莫邦燹
刊名	北京大学学报自然科学版
	2007
关键词	模拟集成电路带隙参考源低温度系数高阶温度补偿 CMOS
英文摘要	介绍了一种基于CSMC0.5-μm2P3Mn-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压VBE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5 V电源电压下,温度变化范围为-20 ～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6 ppm/℃。当电源电压变化范围为4 ～6 V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4 mV。; 0
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/22469]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	陈江华,倪学文,莫邦燹. 一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)[J]. 北京大学学报自然科学版,2007.
APA	陈江华,倪学文,&莫邦燹.(2007).一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文).北京大学学报自然科学版.
MLA	陈江华,et al."一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源(英文)".北京大学学报自然科学版 (2007).