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	离子注入PIN辐射探测器性能测试
	陈鸿飞 ; 邹积清 ; 田大宇 ; 张太平 ; 宁宝俊 ; 张录
	2004
关键词	半导体探测器 空间粒子辐射探测 噪声 分辨率
英文摘要	利用先进的微电子、微机械加工技术,我们研制了300μm、450μm、600μm、800μm和1000μm等五种离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300μm、450μm和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.具体来说,在平均25.7℃的温度下,漏电流大约在14nA左右,噪声水平大约为7.4keV,能谱分辨率大约为16.9keV.从噪声水平看,我们的样品优于ORTEC探测器,说明还有提高能谱分辨率的余地.; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/241125]
专题	地球与空间科学学院 信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	陈鸿飞,邹积清,田大宇,等. 离子注入PIN辐射探测器性能测试. 2004-01-01.

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