| 题名 | 极性/非极性材料－CaAs/Ge, GaP/Si MOCVD生长及特性研究 |
| 作者 | 赵星 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1993 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 导师 | 高鸿楷 |
| 关键词 | 半导体薄膜材料 生长技术 |
| 学位专业 | 电子离子与真空物理 |
| 中文摘要 | 本文介绍了MOCVD技术的发展过程，生长原理及其发展前沿。简要描述了异质外延的特点，生长机制，存在的问题及解决办法。在此基础上用自己设计制造的MOCVD系统对GaAs/Ge、Gap/Si异质外延进行系统的实验研究，探讨了温度、V/III、和衬底晶向等工艺参数对外延质量的影响，总结出较成熟的外延工艺，长出了高质量的外延片，并对外延层的结晶完整性，光电特性进行测试、分析和研究。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 电子离子与真空物理 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 71 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12770]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵星. 极性/非极性材料－CaAs/Ge, GaP/Si MOCVD生长及特性研究[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 1993. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论