| 题名 | 透射式光电阴极（GaAs） |
| 作者 | 郭里辉 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1988 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 导师 | 龚祖同,侯洵 |
| 学位专业 | 光学 |
| 中文摘要 | 本文对透射式GaAs阴极的各外延层进行了设计，对透射式GaAs阴极的各工艺作了探索性研究，制造出了我国第一个透射式GaAs光电阴极，积分灵敏度为103μA/lm。用电调制反射光谱法测量了GaAlAs铝组分X_(Al)，并对其测量原理和方法进行了讨论；用表面光伏法测量了GaAs少子扩散长度，并对测量薄外延层的少子扩散长度作了理论分析，提出了测量方案。本文还对透射GaAs阴极的电子出射能量分布和时间响应作了理论分析，其结果与已有的测量相吻合，并指出出射电子主要由X_1能谷所贡献；对一定波长的入射光，透射式GaAs阴极是具有PS级响应时间的优良阴极。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 光学 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 157 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12568]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭里辉. 透射式光电阴极（GaAs）[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 1988. |
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