| 题名 | 透射式NEA光阴极中Ga_(1-x)Al_xAs缓冲层的液相外延 |
| 作者 | 柯毛龙 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1987 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 导师 | 侯洵,张济康 |
| 学位专业 | 电子物理和离子束物理 |
| 中文摘要 | 本文是负电子亲和势光阴极研制中的一部分，它首先论述了Ga_(1-x)Al_xAs缓冲层的液相外延生长的原理和工艺。随后报道了我们生长的Ga_(1-x)Al_xAs处延片的俄歇能谱，组分x值，表面形貌及掺Zn结果，并且比较全面地解释了各处表面形貌的特点及形成机理。本文强调了两上较重要的结果：一是有实用价值的大组分x值Ga_(1-x)Al_xAs处延片已被生长出来；二是外延片的表面形貌与衬底表面在（100）方向的偏离角度θ之间的定量关系被实验确定下来，且与以往的结果不同，以往有人把7°或4'作为偏离的临介值，而我们的结论是：当θ ≥ 5°时，表面形貌极差，外延难以进行，而当θ ≤ 3°时，可以生长出表面平整光亮的处延片。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 电子物理和离子束物理 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 70 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12550]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柯毛龙. 透射式NEA光阴极中Ga_(1-x)Al_xAs缓冲层的液相外延[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 1987. |
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