| 题名 | GaAs(Cs,O)光电阴极制备工艺 |
| 作者 | 佟跃军 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1986 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所. |
| 导师 | 侯洵 |
| 学位专业 | 电子物理和离子束物理 |
| 中文摘要 | 本文对NEA GaAs（Cs,O）光电阴极理论模型作了一定的研究。提出了用表面态模型对NEA GaAs（Cs,O）表面结构及形成过程进行分析的方法，并用以解释许多实验现象。对GaAs（Cs,O）光电阴极的制备工艺进行了全面的实验。对几种化学清洗剂清洗的晶片进行了Anger分析，并对表面结构进行了一定的分析，提出了新的化学清洗方法。本文对光辐射加温及红外测温都进行了细致的工作。对光源、晶片吸收、光能量与目标温度、测温仪校正及避免外界干扰等方面都进行了分析、计算及实验，最后进行了激活实验。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 电子物理和离子束物理 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 77 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12538]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佟跃军. GaAs(Cs,O)光电阴极制备工艺[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 1986. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论