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题名	反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺探讨
作者	江丕苏
学位类别	硕士
答辩日期	1985
授予单位	中国科学院西安光学精密机械研究所.
导师	侯洵
学位专业	电子物理和离子束物理
中文摘要	本文对反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺进行了实验研究。其中包括激活材料、表面清洁和激活过程。研究了银管渗透氧源的性能。研究了多孔钨铯离子源及其性能。实验结果表明，这种离子源性能良好。对几种GaAs片予处理配方进行了比较。用多因素正交实验法对予处理过程中的各因素进行了分析。设计了光辐射加热系统。将晶片的加热清洁过程分为三步：去表面吸附物，去氧化层和去残余杂质。将获得清洁表面的加热过程表示为：HC = (300 ℃, 5分，n_1) + （560 ℃， 30秒，n_2) + (610 ℃, v, 3)。采用光辐射加热清洁方法，用银管氧源和多孔钨铯离子源对GaAs进行了初步的激活试验。
语种	中文
学科主题	电子物理和离子束物理
公开日期	2011-10-09
页码	108
内容类型	学位论文
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12512]
专题	西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
推荐引用方式 GB/T 7714	江丕苏. 反射式NEA GaAs光电阴极制备工艺探讨[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所.. 1985.

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