| 题名 | 耐高压超快半导体光导开关 |
| 作者 | 景争 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007-05-25 |
| 授予单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 导师 | 汪韬 |
| 关键词 | 半导体光导开关 半导体工艺 fs激光点触发 GaAs/InP |
| 学位专业 | 物理电子学 |
| 中文摘要 | 半导体光导开关（PCSS）是集成了光电导体和超快脉冲激光的一类新型光电复合器件。从1975年问世以来随着半导体材料和工艺水平的进步以及fs激光选通技术，光导开关超快响应（ps量级的半峰宽）、超高能量（MW）、微小抖动、GHz重频等优点逐步被人们发现并在超宽带雷达、THz发生器、大功率电磁脉冲等领域展现了广泛的应用前景。本文首先简单介绍了光导开关的基本理论和工作原理，描述了其工作过程中不同的物理状态和相关参数，并提出了划分光导开关类别的不同标准。详细记述了光导开关制备的工艺流程。本文中作者设计了多种工艺方案，尝试制备以半绝缘半导体材料（GaAs、InP）为衬底的光导开关，最终成功得到以InP为衬底的光导开关样品。对开关的试验性能测试也是作者工作的重点之一，针对不同的性能参数设计了不同的测试实验。主要有金属电极薄膜电阻率的测试；开关耐压测试；开关输出脉冲和触发激光能量；输出脉冲和触发激光入射位置关系的测试。得到的数据和结论对光导开关的实际应用有指导作用。实验证明开关的静止最大耐压＞10000V，高重频工作时的最高耐压≥9000V。在触发光能小于阈值时，输出脉冲电压随光能的增加而增大，当光能超过阈值后，输出脉冲电压增幅减缓并趋向一个定值。不同的入射位置对开关输出脉冲有很大的影响。在入射光从负极向正极扫描的过程中输出脉冲逐渐增强，在正极附近输出达到峰值，但在电极边缘处又有所减弱。针对实验现象和得到的数据，从理论层面给出了解释和分析。得到的结论对进一步研究光导开关的工作过程以及非线性效应有重要意义。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 物理电子学 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 页码 | 59 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/12088]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 景争. 耐高压超快半导体光导开关[D]. 中国科学院西安光学精密机械研究所. 2007. |
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