平面四配位咔咯锗(Ⅳ)阳离子的合成、电子结构与反应性研究 | |
荆慧泽 ; 房华毅 ; 张爱西 ; 葛浩楠 ; 付雪峰 | |
2016 | |
关键词 | 咔咯锗配合物 主族阳离子 亲电取代 |
英文摘要 | (TPFC)Ge-H(TPFC=三(五氟苯基)咔咯)与[Ph_3C]~+[B(C_6F_5)_4]反应可以定量合成具有高反应活性的平面四配位阳离子[(TPFC)Ge]~+。该阳离子可以与苯发生亲电取代反应生成(TPFC)Ge-C_6H_5,通过结晶的方法分离得到了反应的中间体σ配位的锗-苯配合物[(TPFC)Ge(η~1-C_6H_6)]~+,并利用单晶X射线衍射对其结构进行了表征。; 中国化学会; 1 |
语种 | 英语 |
出处 | 中国化学会第30届学术年会 |
内容类型 | 其他 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/483011] |
专题 | 化学与分子工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 荆慧泽,房华毅,张爱西,等. 平面四配位咔咯锗(Ⅳ)阳离子的合成、电子结构与反应性研究. 2016-01-01. |
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