| 碳热还原反应制备高密度石墨烯纳米带水平阵列 | |
| 杨良伟 ; 张树辰 ; 张锦 | |
| 2016 | |
| 关键词 | 石墨烯纳米带 单壁碳纳米管 碳热还原 三氧化钼 单分散 |
| 英文摘要 | 碳纳米管和石墨烯是未来可应用于纳米电子学领域最重要的两种材料,限制它们在场效应晶体管应用的关键在于直接生长获得的碳纳米管中存在金属管以及石墨烯本身为零带隙材料。然而,由这两种材料衍生的石墨烯纳米带可能打破碳材料在FET应用领域的僵局。但是,石墨烯纳米带的带隙严重依赖于其宽度尺寸,宽度小于10 nm才能产生有效带隙,因此如何实现有带隙石墨烯纳米带阵列的可控制备面临严峻挑战。单壁碳纳米管往往具有较小的管径(1~2 nm),通过对其径向反应可以获得宽度小于10 nm的石墨烯纳米带。我们发展了利用MoO_3与单壁碳纳米管的碳热还原反应制备石墨烯纳米带阵列的方法。我们的前期工作发现,通过控制一定的条件,可以实现MoO_3在蓝宝石基底上的单分散;此时将高密度单壁碳纳米管水平阵列转移其上,利用化学中常见的碳热还原,MoO_3与单壁碳纳米管在高温下进行反应,就可能形成石墨烯纳米带。MoO_3的单分散度可以控制反应程度,从而实现石墨烯纳米带水平阵列的制备。; 中国化学会; 1 |
| 语种 | 英语 |
| 出处 | 中国化学会第30届学术年会-第三十九分会：纳米碳材料 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/482980]  |
| 专题 | 化学与分子工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨良伟,张树辰,张锦. 碳热还原反应制备高密度石墨烯纳米带水平阵列. 2016-01-01. |
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