QQ客服 官方微博 反馈留言

	锰对碳化硅上外延石墨烯插层结构的形貌与电子结构研究
	高腾 ; 刘忠范 ; 高雅博 ; 常翠祖 ; 陈宇滨 ; 刘梦溪 ; 谢书宝 ; 何珂 ; 马旭村 ; 张艳锋
	2012
关键词	外延石墨烯 扫描隧道显微镜 锰 插层 角分辨光电子能谱
英文摘要	此文我们利用在石墨烯表面蒸镀并通过加热插层，发现了一种新奇的"外延石墨烯/锰/碳化硅"三明治结构。经过扫描隧道显微镜，低能电子衍射和X射线光电子能谱，我们发现锰原子在加热的过程中可以插层进入单层石墨烯下以及sp3 杂化的碳界面层与基底之间，表现出不同形貌的二维连续的锰原子层岛状物。位于锰岛周围的石墨烯量子十涉现象同时证明了锰原子位于石墨烯层下。插层在石墨烯下的锰原子层可以在一定程度下减弱石墨烯与基底『的相互作用，对石墨烯有一定的电子掺杂作用，并通过角分辨光电子能谱得到了证实。更有趣的是，我们发现在单层和双石墨烯共存下，锰插层仅仅发生在单层区域，表现出独特的石墨烯层数依赖效应。从长远来看，"石墨烯/锰/碳化硅"体系为研究二维金属的物理性质，如磁学和输运性质，提供了良好的研究对象。; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/279022]
专题	化学与分子工程学院 工学院
推荐引用方式 GB/T 7714	高腾,刘忠范,高雅博,等. 锰对碳化硅上外延石墨烯插层结构的形貌与电子结构研究. 2012-01-01.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。