有机复合薄膜中超高密度信息存储研究 | |
马立平 ; 杨文军 ; 薛增泉 ; 陈慧英 ; 庞世瑾 | |
刊名 | 物理学报
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1998 | |
关键词 | 信息存储 复合薄膜 真空蒸发 存储密度 超高密度 扫描隧道显微镜 记录点 存储区 有机复合 电压特性 |
英文摘要 | 利用大气中工作的扫描隧道显微镜,在真空蒸发方法制备的有机复合薄膜上,通过施加电压脉冲法做出了信息点阵,信息点大小为13nm.电流电压特性表明:存储区表现为导体特性,非存储区为绝缘体特性.信息存储实验表明:相邻两个信息记录点的间距可小于2nm,信息存储密度可高达25×1013bit/cm2.对信息存储的机制进行了初步分析; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 07; 174-177 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/260283] ![]() |
专题 | 化学与分子工程学院 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马立平,杨文军,薛增泉,等. 有机复合薄膜中超高密度信息存储研究[J]. 物理学报,1998. |
APA | 马立平,杨文军,薛增泉,陈慧英,&庞世瑾.(1998).有机复合薄膜中超高密度信息存储研究.物理学报. |
MLA | 马立平,et al."有机复合薄膜中超高密度信息存储研究".物理学报 (1998). |
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