有机复合薄膜中超高密度信息存储研究

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	有机复合薄膜中超高密度信息存储研究
	马立平 ; 杨文军 ; 薛增泉 ; 陈慧英 ; 庞世瑾
刊名	物理学报
	1998
关键词	信息存储复合薄膜真空蒸发存储密度超高密度扫描隧道显微镜记录点存储区有机复合电压特性
英文摘要	利用大气中工作的扫描隧道显微镜，在真空蒸发方法制备的有机复合薄膜上，通过施加电压脉冲法做出了信息点阵，信息点大小为１３ｎｍ．电流电压特性表明：存储区表现为导体特性，非存储区为绝缘体特性．信息存储实验表明：相邻两个信息记录点的间距可小于２ｎｍ，信息存储密度可高达２５×１０１３ｂｉｔ／ｃｍ２．对信息存储的机制进行了初步分析; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 07; 174-177
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/260283]
专题	化学与分子工程学院信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	马立平,杨文军,薛增泉,等. 有机复合薄膜中超高密度信息存储研究[J]. 物理学报,1998.
APA	马立平,杨文军,薛增泉,陈慧英,&庞世瑾.(1998).有机复合薄膜中超高密度信息存储研究.物理学报.
MLA	马立平,et al."有机复合薄膜中超高密度信息存储研究".物理学报 (1998).