InP-based deep-ridge NPN transistor laser

	InP-based deep-ridge NPN transistor laser
	Liang S ; Kong DH ; Zhu HL ; Zhao LJ ; Pan JQ ; Wang W
刊名	optics letters
	2011
卷号	36 期号:16 页码:3206-3208
关键词	OPERATION EPITAXY
ISSN号	0146-9592
通讯作者	liang, s (reprint author), chinese acad sci, inst semicond, key lab semicond mat, beijing 100083, peoples r china. liangsong@semi.ac.cn
学科主题	半导体材料
收录类别	SCI
资助信息	national natural science foundation of china (nsfc)[60706009, 61006044, 60736036, 61021003]; national 973 program[2011cb301702]; national 863 project[2009aa03z442]
语种	英语
公开日期	2011-09-14
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22613]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	Liang S,Kong DH,Zhu HL,et al. InP-based deep-ridge NPN transistor laser[J]. optics letters,2011,36(16):3206-3208.
APA	Liang S,Kong DH,Zhu HL,Zhao LJ,Pan JQ,&Wang W.(2011).InP-based deep-ridge NPN transistor laser.optics letters,36(16),3206-3208.
MLA	Liang S,et al."InP-based deep-ridge NPN transistor laser".optics letters 36.16(2011):3206-3208.