| 拓扑绝缘体Bi2Se3纳米结构的可控制备 | |
| 李辉 ; 党文辉 ; 彭海琳 ; 刘忠范 | |
| 2010 | |
| 关键词 | Bi2Se3 拓扑绝缘体 纳米结构 |
| 英文摘要 | 拓扑绝缘体的表面态具有金属性能,表面态电子在不加外场的情况下能形成自旋电子流,在自旋电子器件有潜在的应用,从而引起了广泛的关注。理论实验和理论研究表明Bi2Se3是最简单的三; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 出处 | 万方 ; 知网 ; http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_8108182.aspx |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://hdl.handle.net/20.500.11897/80429]  |
| 专题 | 化学与分子工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李辉,党文辉,彭海琳,等. 拓扑绝缘体Bi2Se3纳米结构的可控制备. 2010-01-01. |
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