CORC  > 北京大学  > 化学与分子工程学院
拓扑绝缘体二维结构与光电器件
彭海琳
2014
关键词拓扑绝缘体 二维材料 范德华外延 定点生长 光电器件
英文摘要作为一类新的量子材料,拓扑绝缘体具有绝缘性体能带结构和受时间反演对称性保护的自旋分辨的金属表面态。拓扑绝缘体独特的电子结构和自旋结构,导致其具有新奇的电学和光电性质,而拓扑绝缘体二维纳米结构往往能凸显其表面态的性质。对拓扑绝缘体二维结构的控制生长与新型光电器件开展深入的研究具有重要意义。最近几年,我们建立和发展了高质量大面积拓扑绝缘体二维结构的表面控制生长方法,比如范德华外延方法生长拓扑绝缘体的二维结构,并控制成核位点实现二维晶体的定点生长。此外,我们还发展了拓扑绝缘体二维结构的逐层生长和可控转移技术,并利用微纳加工技术,构筑了基于拓扑绝缘体二维纳米薄片的柔性透明导电薄膜。; 0
语种中文
出处知网
内容类型其他
源URL[http://hdl.handle.net/20.500.11897/79071]  
专题化学与分子工程学院
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GB/T 7714
彭海琳. 拓扑绝缘体二维结构与光电器件. 2014-01-01.
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