| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法; 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 | |
| 林孟喆 ; 曹青 ; 颜庭静 ; 陈良惠 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910080069.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透明电极层；剥离、退火，使透明电极层发生反应，在透明电极层的表面形成高阻层；将发生反应的透明电极层表面的高阻层去除；在透明电极层的表面依次生长连接层和电极加厚层。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910080069.9 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22455]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林孟喆,曹青,颜庭静,等. 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法, 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法. CN200910080069.9. |
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