| 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构; 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构 | |
| 熊聪 ; 王俊 ; 崇锋 ; 刘素平 ; 马骁宇 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910080071.6 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构，其中包括：一衬底，用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，制作在衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下波导层，制作在N型下限制层上；一有源区，制作在下波导层上；一界面层，制作在有源区上；一P型上限制层，制作在界面层上；一过渡层，制作在P型上限制层上；一电极接触层，制作在过渡层上；一双沟，刻蚀在电极接触层上，刻蚀深度至下波导层以内，在双沟之间形成脊型台面；一钝化膜层，制作在电极接触层的上表面和双沟底部及两侧，所述脊型台面上的钝化膜层为断开的；一P面电极，制作在脊型台面上，与电极接触层接触；一N面电极，制作在衬底的下面。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910080071.6 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22111]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊聪,王俊,崇锋,等. 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构, 高功率基横模平板耦合光波导半导体激光器结构. CN200910080071.6. |
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