| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法; 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 | |
| 刘志强 ; 郭恩卿 ; 伊晓燕 ; 汪炼成 ; 王国宏 ; 李晋闽 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN201010534622.4 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 一种栅极调制正装结构GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底上，该n型GaN层上面的一侧形成有一台面，该台面的深度小于n型GaN层的厚度；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在n型GaN层上面没有台面的另一侧上；一p型GaN层，该p型GaN层制作在多量子阱有源层上；一P电极，该p电极制作在p型GaN层上面远离台面的一侧；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的台面上；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在p型GaN层上面没有P电极的另一侧；一栅电极，该电极制作在栅极绝缘层上。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201010534622.4 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22121]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘志强,郭恩卿,伊晓燕,等. 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法, 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法. CN201010534622.4. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论