| 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法; 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法 | |
| 石明吉 ; 曾湘波 ; 王占国 ; 刘石勇 ; 彭文博 ; 肖海波 ; 张长沙 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200910078560.8 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200910078560.8 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22283]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石明吉,曾湘波,王占国,等. 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法, 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法. CN200910078560.8. |
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