斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法

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	斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法; 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法
	李路
专利国别	中国
专利号	CN200910092876.2
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。
公开日期	2011-08-31
语种	中文
专利申请号	CN200910092876.2
专利代理	汤保平
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22257]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	李路. 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法, 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法. CN200910092876.2.