一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法; 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法 | |
朱小宁![]() ![]() ![]() | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN201010113777.0 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构,该结构包括:硅基衬底;在硅基衬底正面制作的陷光材料层;以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明,能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点,使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收,为光电流作出贡献,解决了传统硅基电池受红外吸收限制,不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题,有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。 |
公开日期 | 2011-08-31 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN201010113777.0 |
专利代理 | 周国城 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22223] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱小宁,马丽,刘德伟. 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法, 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法. CN201010113777.0. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论