一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法

	一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法; 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法
	朱小宁; 马丽; 刘德伟
专利国别	中国
专利号	CN201010113777.0
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
公开日期	2011-08-31
语种	中文
专利申请号	CN201010113777.0
专利代理	周国城
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22223]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	朱小宁,马丽,刘德伟. 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法, 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法. CN201010113777.0.