一种改进非晶硅太阳电池性能的方法

	一种改进非晶硅太阳电池性能的方法; 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法
	王超
专利国别	中国
专利号	CN201010117751.3
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种改进非晶硅太阳电池性能的方法，其特征在于，该方法通过改进非晶硅薄膜太阳电池i/p界面来实现，是在p层为纳米硅的条件下，在非晶硅薄膜太阳电池的i/p界面处插入纳米硅缓冲层，形成双纳米硅层结构。将双纳米硅层结构应用于电池后，开路电压与短路电流都得到了改进，电池转换效率有较大的提高。这种i/p界面处理方法没有碳掺杂，稳定性更好，简便易行，便于推广。另外采用这种方法可以不用甲烷，节省原材料的使用，降低原材料成本；同时可以免去PECVD系统的一个甲烷气路及相关设施，将极大的降低设备成本，对太阳能电池的生产和推广使用具有重要意义。
公开日期	2011-08-31
语种	中文
专利申请号	CN201010117751.3
专利代理	周国城
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22221]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王超. 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法, 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法. CN201010117751.3.