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	带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法; 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法
	尹雯 ; 陆全勇 ; 张伟 ; 刘峰奇 ; 张全德 ; 刘万峰 ; 江宇超 ; 李路 ; 刘俊岐 ; 王利军 ; 王占国
专利国别	中国
专利号	CN201010175432.8
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种带有准光子晶体波导的量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底之上，且中间有一凸台，凸台的两侧形成脊型双沟台面结构；一量子级联有源区结构生长在下波导层的凸台之上；一上波导层生长在量子级联有源区结构之上；一上包层生长在上波导层之上；一上覆盖层生长在上包层之上；一高掺杂欧姆接触层生长在上覆盖层之上；一准光子晶体结构阵列制作在上覆盖层和高掺杂欧姆接触层的两侧，中间的宽度为2μm-10μm，两侧的准光子晶体结构阵列的宽度相同，分别为5-24μm；一电绝缘层沉积在欧姆接触层之上，覆盖整个脊型台面上表面和侧壁，在覆盖有绝缘层的脊型台面中心部位留出电注入窗口；一正面电极制作在绝缘层之上；一背面电极生长在衬底的背面。
公开日期	2011-08-31
语种	中文
专利申请号	CN201010175432.8
专利代理	汤保平
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22205]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	尹雯,陆全勇,张伟,等. 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法, 带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法. CN201010175432.8.

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